開(kāi)關(guān)電源在很大程度上依托于半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件的工作，如MOSFET和IGBT，開(kāi)關(guān)電源利用自身非?？斓拈_(kāi)關(guān)速度，實(shí)現(xiàn)了非常高的轉(zhuǎn)化效率，損耗極低，半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件就會(huì)對(duì)開(kāi)關(guān)電源的性能有非常大的影響，所以半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件的開(kāi)關(guān)損耗測(cè)試是極其重要的，本文即將介紹示波器如何測(cè)試開(kāi)關(guān)器件的開(kāi)關(guān)損耗測(cè)試

　　用到的設(shè)備有：是德示波器，差分探頭，電流探頭

　　使用校準(zhǔn)過(guò)的電壓電流探頭同時(shí)測(cè)量就會(huì)得到如上圖的波形，在示波器上的math中，使用數(shù)學(xué)公式計(jì)算，得到功率P的波形如上圖中P波形，可以參考下面的公式

　　Eon表示導(dǎo)通過(guò)程的損耗能量

　　Pon表示導(dǎo)通過(guò)程的平均損耗功率(有功功率

　　Vds、ld分別表示瞬時(shí)電壓和電流

　　Ts表示開(kāi)關(guān)周期

　　t0、t1表示導(dǎo)通過(guò)程的開(kāi)始時(shí)間與結(jié)束時(shí)間